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高温四探针测试仪测试电阻率的原理和方法

发布日期:2019-01-02 浏览次数:322次

高温四探针测试仪测试电阻率的原理和方法

高温四探针测试仪可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率和外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻。

 

 

高温四探针测试仪的测量原理

  1. 测量电阻率的方法很多,如三探针法、电容-电压法、扩展电阻法等,四探针法则是一种广泛采用的标准方法,高温四探针测试仪采用经典直排四探针原理,同时采用了双电测组合四探针法。
  2. 经典的直排四探针法测试电阻率,要求使用等间距的探针,如果针间距离不等或探针有游移,就会造成实验误差。当被测片较小或在大片边缘附近测量时,要求计入电场畸变的影响进行边界修正。
  3. 采用双电测组合四探针的出现,为提高薄膜电阻和体电阻率测量准确度创造了有利条件。

高温四探针测试仪采用双电测组合四探针法的优势

  1. 采用双电测组合四探针法进行测试,测试结果与探针间距无关,能够消除间距不等及针尖机械游移变化的影响,因此四探针测试台允许使用不等距探针头。
  2. 采用双电测组合四探针法具有自动修正边界效应的功能,对小尺寸被侧片或探针在较大样品边缘附近时,不需要对样品做几何测量,也不需要寻找修正因子。
  3. 采用双电测组合四探针法,不移动四探针针头,同时使用三种模式测量,既可计算得到测试部位的电阻均匀性。
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